C,Si,અને Ge માટે ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(B) સમૂહમાં ઉપરથી નીચે તરફ જતાં પરમાણુ કદ વધવાને કારણે ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી સામાન્ય રીતે ઘટે છે. જોકે,કાર્બન પરિવાર (સમૂહ $14$) માટે,$Si$ ની

Vedclass · Accepted Answer

$C  Ge$

Vedclass · Answer

(B) સમૂહમાં ઉપરથી નીચે તરફ જતાં પરમાણુ કદ વધવાને કારણે ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી સામાન્ય રીતે ઘટે છે. જોકે,કાર્બન પરિવાર (સમૂહ $14$) માટે,$Si$ ની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી $C$ કરતા વધારે હોય છે. આનું કારણ એ છે કે $C$ માં $2p$ કક્ષકો ખૂબ નાની હોય છે,જેના કારણે આંતર-ઇલેક્ટ્રોનિક અપાકર્ષણ વધુ હોય છે,જે $Si$ ની મોટી $3p$ કક્ષકોની તુલનામાં નવા ઇલેક્ટ્રોનને ઉમેરવાનું મુશ્કેલ બનાવે છે. સમૂહ $14$ માટે સામાન્ય ક્રમ $Si > C > Ge > Sn > Pb$ છે. તેથી,$C$,$Si$,અને $Ge$ માટે સાચો ક્રમ $Si > C > Ge$ છે,જે $C  Ge$ ને અનુરૂપ છે.

$C$,$Si$,અને $Ge$ માટે ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પીનો સાચો ક્રમ કયો છે?

Similar Questions

કઈ પ્રક્રિયા સ્વભાવે $NOT$ (ઉષ્માશોષક) નથી :-

ઇલેક્ટ્રોન એફિનિટી (ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી) નો સાચો ક્રમ કયો છે?

નીચેનામાંથી કઈ પ્રક્રિયામાં સૌથી વધુ ઉર્જાનું શોષણ થાય છે?

કોઈ તત્વની બીજી ઇલેક્ટ્રોન બંધુતા ...

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module