$C$,$Si$,और $Ge$ के लिए इलेक्ट्रॉन बंधुता का सही क्रम है

इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी का बढ़ता क्रम है :-

निम्नलिखित में से किस प्रक्रिया में ऊर्जा अवशोषित होती है?

$O \rightarrow O^{-}$ और $O \rightarrow O^{2-}$ के लिए इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी के मान क्रमशः $-141 \ kJ \ mol^{-1}$ और $702 \ kJ \ mol^{-1}$ हैं,तो आप $O^{-}$ के बजाय $O^{2-}$ स्पीशीज वाले बड़ी संख्या में ऑक्साइड के निर्माण के लिए क्या कारण दे सकते हैं?
(संकेत: यौगिकों के निर्माण में जालक ऊर्जा (lattice energy) कारक पर विचार करें)।

ऑक्सीजन और सल्फर की दूसरी इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी ($kJ \ mol^{-1}$ में) क्रमशः क्या हैं?

निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?