$p-n$ जंक्शन में डिफ्यूजन धारा का परिमाण ड्रिफ्ट धारा के परिमाण से कम होता है:

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $2 \times 10^{-6} \,m$ है और विभव प्राचीर (barrier potential) $0.3 \,V$ है। जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र की तीव्रता है

अग्र अभिनत (forward biased) डायोड कनेक्शन कौन सा है?

एक $2 \text{ V}$ की बैटरी को एक डायोड के साथ फॉरवर्ड बायस में जोड़ा गया है। डायोड के सिरों पर $0.5 \text{ V}$ का वोल्टेज ड्रॉप होता है,जो इसमें बहने वाली धारा से स्वतंत्र है। $10 \text{ mA}$ से अधिक की धारा अत्यधिक ऊष्मा उत्पन्न करती है और डायोड को नुकसान पहुँचाती है। यदि डायोड में $5 \text{ mA}$ की धारा की आवश्यकता है,तो परिपथ में कितना श्रेणी प्रतिरोध जोड़ा जाना चाहिए?

दिए गए परिपथों $(a)$,$(b)$ और $(c)$ में,किन परिपथों में दो p-n जंक्शनों के सिरों पर विभवांतर (potential drop) समान है?

एक सिलिकॉन डायोड में $100\, mA$ की फॉरवर्ड $DC$ धारा के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $1.2\, V$ है। $10\, V$ के रिवर्स वोल्टेज के लिए इसका रिवर्स करंट $1\times10^{-6}\, A$ है। डायोड का बल्क और रिवर्स प्रतिरोध क्या है?