एक $p-n$ जंक्शन डायोड के लिए, ब्रेकडाउन वोल्टेज तब होता है जब

एक $p-n$ जंक्शन डायोड का इन-बिल्ट विभव (built-in potential) $0.7 \,V$ है। यदि डायोड को फॉरवर्ड बायस में रखा जाता है और आरोपित वोल्टेज $0.3 \,V$ है, तो प्रभावी अवरोध ऊँचाई (effective barrier height) क्या होगी ($\,V$ में)?

दिए गए नेटवर्क में वोल्टेज $V_0$ का मान क्या है?

दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड $D_1$ और $D_2$ चित्र में दिखाए अनुसार जुड़े हैं। प्रतिरोध $R_1$ से प्रवाहित होने वाली धारा होगी ($\,A$ में)

आदर्श डायोड मानकर,चित्र में दिए गए परिपथ के लिए आउटपुट वेवफॉर्म खींचिए। वेवफॉर्म की व्याख्या कीजिए।

सिलिकॉन डायोड के लिए कट-इन वोल्टेज लगभग $V$ है।