$LED$ માટે વિદ્યુતચુંબકીય વર્ણપટના દ્રશ્યમાન વિભાગમાં પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરવા માટે,તેનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ કઈ રેન્જમાં હોવો જોઈએ? (પ્લાન્કનો અચળાંક,$h = 6.6 \times 10^{-34} \ J s$ અને શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ,$c = 3 \times 10^8 \ m s^{-1}$)

$LED$ વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન 'ખોટું' છે?

$p-n$ ફોટોડાયોડ $2.0\, eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા પદાર્થમાંથી બનાવવામાં આવે છે. આ પદાર્થ દ્વારા શોષી શકાય તેવા વિકિરણની લઘુત્તમ આવૃત્તિ આશરે કેટલી હશે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A:$ ફોટોડાયોડનો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં થાય છે.
કારણ $R:$ $p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે, લાગુ કરેલ વોલ્ટેજ $V$ પર, $|V_z| > |V| \geq V_0$ માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ કરતા વધારે હોય છે, જ્યાં $V_0$ એ થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ છે અને $V_z$ એ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.

પ્રકાશના ઉત્સર્જન માટે,લાઇટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ નો ઉપયોગ કેવી રીતે થાય છે?

ત્રણ ફોટોડાયોડ $D_{1}, D_{2}$ અને $D_{3}$ એવા સેમિકન્ડક્ટરના બનેલા છે જેમના બેન્ડ ગેપ અનુક્રમે $2.5 eV, 2 eV$ અને $3 eV$ છે. કયો ફોટોડાયોડ $600 nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશને શોધી શકશે?