चित्र में दिखाए गए परिपथ के लिए,दो स्थितियों $(i)$ $V_A > V_B$ और (ii) $V_B > V_A$ के लिए बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच तुल्य प्रतिरोध क्रमशः $\qquad \Omega$ और $\qquad \Omega$ है। ($D_1$ और $D_2$ आदर्श डायोड हैं)

  • A
    $25, \infty$
  • B
    $50, \infty$
  • C
    $\infty, 25$
  • D
    $25, 25$

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एक $P-N$ जंक्शन में $0.5 \ V$ का विभव प्राचीर (potential barrier) है। यदि एक इलेक्ट्रॉन $N$-सिरे से $5 \times 10^5 \ m/s$ की गति से $P-N$ जंक्शन डायोड में प्रवेश करता है,तो $P$-सिरे से बाहर निकलते समय उसकी गति क्या होगी?

Difficult
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एक अर्धचालक उपकरण $X$ को एक बैटरी और एक प्रतिरोधक के साथ श्रेणीक्रम में जोड़ा जाता है। परिपथ से $10 \ mA$ की धारा प्रवाहित होती है। यदि $X$ के टर्मिनलों को उलट दिया जाए,तो धारा लगभग शून्य हो जाती है। $X$ क्या हो सकता है?

दी गई आकृति में,बिंदु $A$ का वोल्टेज ............ $V$ है।

निम्नलिखित वाक्यों में से कौन सा कथन गलत है? एक उपकरण जिसमें $P$ और $N$-प्रकार के अर्धचालकों का उपयोग किया जाता है,वह वैक्यूम ट्यूब की तुलना में अधिक उपयोगी है क्योंकि:

$P-N$ जंक्शन बनाने के लिए $Si$ पदार्थ का उपयोग किया गया है। तो डिप्लेशन बैरियर की ऊंचाई लगभग कितने $V$ होगी?

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