दी गई आकृति में,बिंदु $A$ का वोल्टेज ............ $V$ है।

यदि $Si$ और $Ge$ डायोड का बैरियर विभव क्रमशः $0.7 \ V$ और $0.3 \ V$ है,जैसा कि परिपथ में दिखाया गया है,तो $V_0$ और $I$ के मान ज्ञात कीजिए। यदि $Ge$ डायोड के कनेक्शन को उलट दिया जाए,तो $V_0$ और $I$ के नए मान क्रमशः ज्ञात कीजिए।

जब $p-n$ जंक्शन को फॉरवर्ड बायस (अग्र अभिनति) में रखा जाता है,तो विभव प्राचीर $(V_B)$ और अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $(X)$ पर क्या प्रभाव पड़ता है?

$p-n$ जंक्शन के पास आवेश घनत्व $\rho$ और दूरी $r$ के बीच का वक्र किसके द्वारा सबसे अच्छी तरह दर्शाया गया है?

अग्र अभिनत (forward biased) डायोड कनेक्शन कौन सा है?

जर्मेनियम छड़ की लंबाई $0.925 \ cm$ है और इसके अनुप्रस्थ काट का क्षेत्रफल $1 \ mm^2$ है। यदि जर्मेनियम के लिए $n_i = 2.5 \times 10^{19} \ m^{-3}$,$\mu_h = 0.19 \ m^2/V\cdot s$,और $\mu_e = 0.39 \ m^2/V\cdot s$ है,तो छड़ का प्रतिरोध क्या होगा?