नीचे दो कथन दिए गए हैं: एक को अभिकथन A और दूस | vedclass

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Question

(C) $1$. $N$ $(Z=7)$ का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $1s^2 2s^2 2p^3$ है। इसमें एक स्थिर अर्ध-पूरित $p$-कक्षक होता है, जो इसकी प्रथम आयनन एन्थैल्पी को $O$ ($Z

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$A$ सही है लेकिन $R$ सही नहीं है।

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(C) $1$. $N$ $(Z=7)$ का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $1s^2 2s^2 2p^3$ है। इसमें एक स्थिर अर्ध-पूरित $p$-कक्षक होता है, जो इसकी प्रथम आयनन एन्थैल्पी को $O$ ($Z=8$, $1s^2 2s^2 2p^4$) से अधिक बनाता है।$2$. $F$ ($Z=9$, $1s^2 2s^2 2p^5$) का प्रभावी नाभिकीय आवेश $O$ से अधिक होता है, जिससे इसकी प्रथम आयनन एन्थैल्पी भी अधिक होती है।$3$. अतः, अभिकथन $A$ सही है।$4$. कारण $R$ कहता है कि $O$ से एक इलेक्ट्रॉन के निकलने से स्थिर अर्ध-पूरित $p$-कक्षक प्राप्त होता है। $O^+$ का विन्यास $1s^2 2s^2 2p^3$ है, जो वास्तव में एक स्थिर अर्ध-पूरित $p$-कक्षक है। हालाँकि, यह $O$ की द्वितीय आयनन एन्थैल्पी को समझाता है, प्रथम को नहीं। इसलिए, कारण $R$ प्रथम आयनन एन्थैल्पी की प्रवृत्ति के लिए गलत व्याख्या है।$5$. अतः, $A$ सही है लेकिन $R$ सही नहीं है।

$I.P.$ \text{ प्रवृत्ति}	कारण
$A$. $N > O$	अर्ध-भरित विन्यास
$B$. $Zr < Hf$	लैंथेनाइड संकुचन
$C$. $Na > K$	$Z_{eff}$
$D$. $Al < Ga$	संक्रमण संकुचन

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