निम्नलिखित में से सही कथनों की पहचान करें:
$I$. एक आदर्श गैस के लिए,संपीड्यता गुणांक (compressibility factor) $1.0$ होता है।
$II$. $T(K)$ पर $NO_{(g)}$ (मोलर द्रव्यमान $= 30 \ g \ mol^{-1}$) की गतिज ऊर्जा $x \ J \ mol^{-1}$ है। $T(K)$ पर $N_2O_{4(g)}$ (मोलर द्रव्यमान $= 92 \ g \ mol^{-1}$) की गतिज ऊर्जा $2x \ J \ mol^{-1}$ है।
$III$. गैस के विसरण की दर उसके घनत्व के वर्गमूल के व्युत्क्रमानुपाती होती है।
$I$. एक आदर्श गैस के लिए,संपीड्यता गुणांक (compressibility factor) $1.0$ होता है।
$II$. $T(K)$ पर $NO_{(g)}$ (मोलर द्रव्यमान $= 30 \ g \ mol^{-1}$) की गतिज ऊर्जा $x \ J \ mol^{-1}$ है। $T(K)$ पर $N_2O_{4(g)}$ (मोलर द्रव्यमान $= 92 \ g \ mol^{-1}$) की गतिज ऊर्जा $2x \ J \ mol^{-1}$ है।
$III$. गैस के विसरण की दर उसके घनत्व के वर्गमूल के व्युत्क्रमानुपाती होती है।
- A$I, II, III$
- Bकेवल $II, III$
- Cकेवल $I, III$
- Dकेवल $I, II$
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$B.$ पृष्ठ तनाव सतह पर मौजूद अणुओं पर कार्य करने वाले असमान बलों के कारण होता है।
$C.$ थोक में मौजूद अणु कभी भी तरल की सतह पर नहीं आ सकते हैं।
$D.$ यदि प्रणाली बंद है तो सतह पर मौजूद अणु वाष्प दबाव के लिए जिम्मेदार होते हैं।
$A.$ पृष्ठ तनाव थोक (bulk) में तरल अणु पर कार्य करने वाले समान आकर्षण और प्रतिकर्षण बलों का परिणाम है।
$B.$ पृष्ठ तनाव सतह पर मौजूद अणुओं पर कार्य करने वाले असमान बलों के कारण होता है।
$C.$ थोक में मौजूद अणु कभी भी तरल की सतह पर नहीं आ सकते हैं।
$D.$ यदि प्रणाली बंद है तो सतह पर मौजूद अणु वाष्प दबाव के लिए जिम्मेदार होते हैं।
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