यदि ${n_e}$ और ${n_h}$ फास्फोरस के साथ भारी डोपिंग वाले अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होलों की संख्या हैं,तो

एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होलों का संख्या घनत्व क्रमशः $8 \times 10^{18} \ m^{-3}$ और $5 \times 10^{18} \ m^{-3}$ है। यदि इलेक्ट्रॉनों और होलों की गतिशीलता (mobility) क्रमशः $2.3 \ m^2/V \cdot s$ और $0.01 \ m^2/V \cdot s$ है,तो अर्धचालक होगा:

$500\, K$ पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉन $(n_e)$ और होल $(n_h)$ की समान सांद्रता $1.5 \times 10^{16}\, m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ हो जाता है। डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का है?

$N$-प्रकार के $Ge$ अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता $5000 \ cm^2/V \cdot s$ और चालकता $5 \ mho/cm$ है। यदि होल्स का प्रभाव नगण्य है,तो अशुद्धि परमाणुओं की सांद्रता क्या होगी?

जब $Ge$ क्रिस्टल को फास्फोरस परमाणुओं के साथ डोप किया जाता है,तो यह बन जाता है

$300 \ K$ पर शुद्ध सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉन और होल की समान सांद्रता $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। यदि होल की सांद्रता बढ़कर $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाती है,तो सिलिकॉन में इलेक्ट्रॉन की सांद्रता क्या होगी?