यदि एक p-n जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस्ड (अग्र | vedclass

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Question

(A) जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड को फॉरवर्ड बायस किया जाता है, तो बाहरी बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $p$-प्रकार के क्षेत्र से और ऋणात्मक टर्मिनल $n$-प्रकार के

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अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई घट जाती है।

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(A) जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड को फॉरवर्ड बायस किया जाता है, तो बाहरी बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $p$-प्रकार के क्षेत्र से और ऋणात्मक टर्मिनल $n$-प्रकार के क्षेत्र से जुड़ा होता है।यह बाहरी विद्युत क्षेत्र अवक्षय परत (depletion region) के आंतरिक विद्युत क्षेत्र का विरोध करता है।परिणामस्वरूप, बहुसंख्यक आवेश वाहक (majority charge carriers) जंक्शन की ओर धकेले जाते हैं, जिससे अवक्षय परत की चौड़ाई कम हो जाती है।अतः, विभव प्राचीर (potential barrier) की ऊँचाई कम हो जाती है, जिससे डायोड में से विद्युत धारा प्रवाहित होने लगती है।

यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस्ड (अग्र अभिनत) है, तो:

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दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड चित्रानुसार जुड़े हैं। प्रतिरोध $R_1$ से प्रवाहित होने वाली धारा .....$ A$ होगी।

यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में है,तो:

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