अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लेशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?

  • A
    ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स (अशुद्धियों) के घनत्व से स्वतंत्र है।
  • B
    ज़ोन की चौड़ाई डोपेंट्स के घनत्व पर निर्भर करती है।
  • C
    ज़ोन में विद्युत क्षेत्र आयनित डोपेंट परमाणुओं द्वारा उत्पन्न होता है।
  • D
    $(b)$ और $(c)$ दोनों।

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दो समान $P-N$ जंक्शनों को एक बैटरी के साथ तीन तरीकों से श्रेणीक्रम में जोड़ा गया है,जैसा कि चित्र में दिखाया गया है। किन दो परिपथों में $P-N$ जंक्शनों के सिरों पर विभवांतर समान होगा?

Difficult
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परिपथ में धारा $i$ ज्ञात कीजिए।

$P-N$ जंक्शन डायोड को फॉरवर्ड बायस में समायोजित करने पर,डिप्लेशन लेयर और प्रतिरोध पर क्या प्रभाव पड़ता है?

जब एक $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है, तो यह . . . . . . ।

चित्र में दिखाए गए परिपथ में उपयोग किए गए डायोड में सभी धाराओं पर $0.5\; V$ का स्थिर वोल्टेज ड्रॉप है और इसकी अधिकतम पावर रेटिंग $100\; mW$ है। अधिकतम धारा प्राप्त करने के लिए डायोड के साथ श्रेणीक्रम में जुड़े प्रतिरोध $R$ का मान क्या होना चाहिए? ($\Omega$ में)

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