જો કોઈ ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $\phi$ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ હોય,તો ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન ક્યારે નહીં થાય?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માં,ધાતુની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $(K.E.)$ શેના પર આધાર રાખે છે?

પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ જે ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનનું કારણ બને છે તે $\lambda_0$ છે. $\frac{\lambda_0}{3}$ અને $\frac{\lambda_0}{9}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના બે કિરણો ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $50 \, cm$ ના અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V_0$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને સેલથી $1 \, m$ ના અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

આઈન્સ્ટાઈનને નીચેનામાંથી કયા કાર્ય માટે નોબેલ પુરસ્કાર મળ્યો હતો?

એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ વિકિરણ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_{0}$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{0}$ મળે છે. આ સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $n\lambda$ છે. $n$ નું મૂલ્ય શોધો.