$P$-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक आवेश वाहक क्रमशः होते हैं:

एक शुद्ध अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता समान $10^{16} \ m^{-3}$ है। गैलियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_{h}$ बढ़कर $5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाता है। तो,डोप्ड अर्धचालक में $n_{e}$ का मान क्या होगा?

कमरे के तापमान पर,एक $p$-प्रकार के अर्धचालक में होता है

नैज (intrinsic) अर्धचालक में विद्युत चालन कैसे उत्पन्न होता है?

$P-$प्रकार के अर्धचालक में,जर्मेनियम को किसके साथ डोप किया जाता है?

$n-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में,निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?