एक $p-n$ जंक्शन सोलर सेल में,मोनोक्रोमैटिक प्रकाश द्वारा उत्पन्न फोटो-इलेक्ट्रोमोटिव बल का मान किसके समानुपाती होता है?

  • A
    $p-n$ जंक्शन पर लगाया गया वोल्टेज
  • B
    $p-n$ जंक्शन पर बैरियर वोल्टेज
  • C
    सेल पर गिरने वाले प्रकाश की तीव्रता
  • D
    सेल पर गिरने वाले प्रकाश की आवृत्ति

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यदि $LED$ के निर्माण में प्रयुक्त अर्धचालक का ऊर्जा अंतराल लगभग $1.9 \ eV$ है, तो $LED$ द्वारा उत्सर्जित प्रकाश का रंग क्या होगा?

कथन $-I$: एक फोटोडायोड रिवर्स बायस में कार्य करता है।
कथन $-II$: माइनॉरिटी कैरियर द्वारा नियंत्रित रिवर्स बायस करंट पर फोटो-इफेक्ट के कारण होने वाला आंशिक परिवर्तन,फॉरवर्ड बायस करंट में होने वाले आंशिक परिवर्तन की तुलना में अधिक आसानी से मापने योग्य होता है।

नीचे दो कथन दिए गए हैं: एक को अभिकथन $A$ (Assertion) और दूसरे को कारण $R$ (Reason) के रूप में लेबल किया गया है।
अभिकथन $A$: प्रकाश की तीव्रता मापने के लिए फोटोडायोड को रिवर्स बायस स्थिति में संचालित किया जाता है।
कारण $R$: $p-n$ जंक्शन डायोड के लिए फॉरवर्ड बायस में धारा,रिवर्स बायस की तुलना में अधिक होती है।
उपरोक्त कथनों के आलोक में,नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें:

एक फोटोडिटेक्टर $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ अर्धचालक से बना है जिसका $E_g = 0.73 \, eV$ है। यह अधिकतम कितनी तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है ($nm$ में)?

$1.4 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक (semiconductor) से एक $p-n$ फोटोडायोड बनाया गया है। यह किस तरंगदैर्ध्य के सिग्नल का पता लगा सकता है?

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