एक $p-n$ जंक्शन डायोड में,गर्म होने के कारण तापमान में परिवर्तन
- Aकेवल रिवर्स प्रतिरोध को प्रभावित करता है
- Bकेवल फॉरवर्ड प्रतिरोध को प्रभावित करता है
- C$p-n$ जंक्शन की समग्र $V-I$ विशेषताओं को प्रभावित करता है
- D$p-n$ जंक्शन के प्रतिरोध को प्रभावित नहीं करता है
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यदि $Si$ और $Ge$ डायोड का बैरियर विभव क्रमशः $0.7 \ V$ और $0.3 \ V$ है,जैसा कि परिपथ में दिखाया गया है,तो $V_0$ और $I$ के मान ज्ञात कीजिए। यदि $Ge$ डायोड के कनेक्शन को उलट दिया जाए,तो $V_0$ और $I$ के नए मान क्रमशः ज्ञात कीजिए।
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