एक P-N जंक्शन डायोड में,यदि P क्षेत्र N क्षेत | vedclass

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Question

(B) अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई $(W)$ डोपिंग सांद्रता $(N)$ के व्युत्क्रमानुपाती होती है।गणितीय रूप से,$P$-पक्ष $(W_p)$ और $N$-पक्ष $(W_n)$

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$N$ क्षेत्र में बड़ी होती है

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(B) अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई $(W)$ डोपिंग सांद्रता $(N)$ के व्युत्क्रमानुपाती होती है।गणितीय रूप से,$P$-पक्ष $(W_p)$ और $N$-पक्ष $(W_n)$ पर अवक्षय चौड़ाई का डोपिंग सांद्रता ($N_a$ और $N_d$) के साथ संबंध $W_p N_a = W_n N_d$ होता है।चूंकि $P$ क्षेत्र अधिक भारी रूप से डोप्ड है $(N_a > N_d)$,इसलिए अवक्षय चौड़ाई $P$ क्षेत्र में कम और $N$ क्षेत्र में अधिक होनी चाहिए $(W_n > W_p)$।अतः,अवक्षय परत कम डोप्ड क्षेत्र में अधिक विस्तृत होती है,जो कि $N$ क्षेत्र है।

एक $P-N$ जंक्शन डायोड में,यदि $P$ क्षेत्र $N$ क्षेत्र की तुलना में अधिक भारी रूप से डोप्ड (heavily doped) है,तो अवक्षय परत (depletion layer):

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