ટ્રાન્ઝિસ્ટરના કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયરમાં,જો વોલ્ટેજ ગેઈન અને કરંટ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટરનો ગુણોત્તર $4$ હોય,તો કલેક્ટર અને બેઝ અવરોધનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

આકૃતિમાં $npn$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉપયોગ કરીને બનાવેલ કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયર સર્કિટ દર્શાવેલ છે. તેનો $dc$ કરંટ ગેઈન $250$ છે,$R_C = 1\,k\Omega$ અને $V_{CC} = 10\,V$ છે. $V_{CE}$ સેચ્યુરેશન (સંતૃપ્ત) અવસ્થામાં પહોંચે તે માટે લઘુત્તમ બેઝ કરંટ કેટલો હોવો જોઈએ? ($\mu A$ માં)

એક $NPN$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉપયોગ કોમન એમિટર કોન્ફિગરેશનમાં $1\,k\Omega$ લોડ અવરોધ સાથે એમ્પ્લીફાયર તરીકે કરવામાં આવે છે. બેઝ-એમિટર પર $10\,mV$ નો સિગ્નલ વોલ્ટેજ લાગુ કરવામાં આવે છે. આનાથી કલેક્ટર પ્રવાહમાં $3\,mA$ નો ફેરફાર અને એમ્પ્લીફાયરના બેઝ પ્રવાહમાં $15\,\mu A$ નો ફેરફાર થાય છે. ઇનપુટ અવરોધ અને વોલ્ટેજ ગેઇન કેટલા હશે?

એક $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,$10^{-8} \,s$ માં $10^{8}$ ઇલેક્ટ્રોન એમિટર (emitter) માં પ્રવેશે છે. જો $1\%$ ઇલેક્ટ્રોન બેઝ (base) માં ગુમાવાય,તો કલેક્ટર (collector) માં પ્રવેશતા પ્રવાહનો અંશ અને પ્રવાહ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર $\beta$ અનુક્રમે કેટલા હશે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર $p-n-p$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર કરતા વધુ પ્રવાહને મંજૂરી આપે છે.
કારણ $R$: ઇલેક્ટ્રોન પાસે ચાર્જ કેરિયર તરીકે વધુ ગતિશીલતા (mobility) હોય છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

$CE$ ઍમ્પ્લિફાયર માટે પ્રવાહ ગેઇન $60$ છે. જો લોડ અવરોધ $5 \times 10^3 \ \Omega$ અને ઇનપુટ અવરોધ $5 \times 10^2 \ \Omega$ હોય,તો વૉલ્ટેજ ગેઇન ....... છે.