સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,કેપેસીટન્સને નીચેનામાંથી શું ઘટાડીને વધારી શકાય છે?

અવગણ્ય જાડાઈના એક એલ્યુમિનિયમ પતરાના સ્તરને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ:

જો $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરની પ્લેટો પરનો વિદ્યુતભાર $Q$ હોય,પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V$ હોય,દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ હોય અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય,તો પ્લેટો વચ્ચેનું આકર્ષણ બળ કેટલું હશે?

$C$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા એક ઇન્સ્યુલેટેડ સમાંતર-પ્લેટ કેપેસીટરમાં,ચાર સપાટીઓ પર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $Q_1, Q_2, Q_3$ અને $Q_4$ વિદ્યુતભારો છે. પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $12\,\mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને ક્ષેત્રફળ અડધું કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ .........$\mu F$ થશે.

એક કેપેસિટર $a$ બાજુ ધરાવતી બે ચોરસ પ્લેટોનું બનેલું છે,જે તેમની વચ્ચે ખૂબ જ નાનો ખૂણો $\alpha$ બનાવે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. કેપેસીટન્સ કોની નજીક હશે?