એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં,આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \, \mathring{A}$ થી બદલીને $3600 \, \mathring{A}$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ............. $V$ હશે.

જ્યારે $hv$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન $W_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે $K$ મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

જ્યારે $v_{1}$ આવૃત્તિનો એકવર્ણી પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{1}$ છે. જ્યારે બીજી આવૃત્તિનો એકવર્ણી પ્રકાશ તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{2}$ બને છે. જો $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક હોય અને $e$ ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર હોય, તો બીજા કિસ્સામાં પ્રકાશની આવૃત્તિ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર સૌપ્રથમ સફળતાપૂર્વક કોના દ્વારા સમજાવવામાં આવી હતી?

એક ફોટો-એમિસિવ પદાર્થને $\lambda_i$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે જેથી તે $\lambda_e$ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકે તેવી વિકિરણની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ $\lambda_0$ છે. ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_e$ માટેનું સૂત્ર શું છે? ($m = \text{ઇલેક્ટ્રોનનું દળ}$, $h = \text{પ્લાન્કનો અચળાંક}$, $c = \text{પ્રકાશની ઝડપ}$):

$5000 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ અને $4.68 \ mW/cm^2$ તીવ્રતા ધરાવતો પ્રકાશ એક પ્રકાશ-સંવેદી સપાટી પર આપાત થાય છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી માત્ર $5\%$ ફોટોન ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો એકમ સમયમાં એકમ ક્ષેત્રફળ દીઠ ઉત્સર્જિત થતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા કેટલી હશે?