एक फोटोइलेक्ट्रिक सेल में,आपतित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य $4000 \, \mathring{A}$ से बदलकर $3600 \, \mathring{A}$ कर दी जाती है। निरोधी विभव (stopping potential) में परिवर्तन ............. $V$ होगा।

प्रकाश-विद्युत प्रभाव में,धातु की सतह से उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों की गतिज ऊर्जा $(K.E.)$ किस पर निर्भर करती है?

एक निश्चित धात्विक सतह को $\lambda$ तरंगदैर्ध्य के एकवर्णी प्रकाश से प्रकाशित किया जाता है। इस प्रकाश के लिए फोटो-इलेक्ट्रिक धारा का निरोधी विभव (stopping potential) $3V_0$ है। यदि उसी सतह को $2\lambda$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश से प्रकाशित किया जाता है,तो निरोधी विभव $V_0$ है। इस सतह के लिए फोटो-इलेक्ट्रिक प्रभाव की देहली तरंगदैर्ध्य (threshold wavelength) क्या है?

$\nu$ आवृत्ति का प्रकाश $\nu_0$ देहली आवृत्ति वाले पदार्थ पर आपतित होता है (जहाँ $\nu_0 < \nu$)। उत्सर्जित फोटो-इलेक्ट्रॉन की अधिकतम गतिज ऊर्जा क्या होगी?

सीज़ियम का कार्य फलन (work function) $2.14 \ eV$ है। यदि फोटोकरंट को $0.60 \ V$ के निरोधी विभव (stopping potential) द्वारा शून्य कर दिया जाता है, तो आपतित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य ज्ञात कीजिए।

प्रकाश-विद्युत प्रभाव (photoelectric effect) द्वारा,आइंस्टीन ने क्या सिद्ध किया?