શ્રેણી $LCR$ રેઝોનન્ટ સર્કિટમાં,$R = 800 \ \Omega$,$C = 2 \ \mu F$ અને અવરોધ પરનો વોલ્ટેજ $200 \ V$ છે. કોણીય આવૃત્તિ $250 \ rad/s$ છે. રેઝોનન્સ સમયે,ઇન્ડક્ટન્સ પરનો વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($V$ માં)?

$L=0.5 \text{ H}$ અને $R=10 \Omega$ ધરાવતો શ્રેણી $LCR$ પરિપથ $200 \text{ V}$ અને $\frac{150}{\pi} \text{ Hz}$ ની આવૃત્તિ ધરાવતા $AC$ સપ્લાય સાથે જોડાયેલ છે. કેપેસિટન્સનું મૂલ્ય એવી રીતે બદલવામાં આવે છે કે જેથી પરિપથમાં પ્રવાહનો કંપવિસ્તાર મહત્તમ થાય. ઇન્ડક્ટરના બે છેડા વચ્ચેનો $rms$ વોલ્ટેજ તફાવત કેટલો હશે ($\text{ V}$ માં)?

$Q$-ફેક્ટર (ક્વોલિટી ફેક્ટર) એટલે શું અને તે કયા પરિબળો પર આધાર રાખે છે?

શ્રેણી $LCR$ રેઝોનન્ટ સર્કિટમાં,ક્વોલિટી ફેક્ટર $100$ માપવામાં આવે છે. જો ઇન્ડક્ટન્સને બે ગણું વધારવામાં આવે અને અવરોધને બે ગણો ઘટાડવામાં આવે,તો આ ફેરફાર પછી ક્વોલિટી ફેક્ટર ......... થશે.

આકૃતિમાં દર્શાવેલ શ્રેણી $LCR$ પરિપથ માટે,અનુનાદ કોણીય આવૃત્તિ અને અનુનાદ આવૃત્તિ પર પ્રવાહનો કંપવિસ્તાર કેટલો છે? સ્ત્રોત વોલ્ટેજ $220 \, V$ ($RMS$ મૂલ્ય) તરીકે આપવામાં આવેલ છે.

$0.2 \, V$ નું એક અલ્ટરનેટિંગ e.m.f. $R=4 \, \Omega$, $C=80 \, \mu F$ અને $L=200 \, mH$ ધરાવતા $LCR$ શ્રેણી પરિપથ પર લાગુ કરવામાં આવે છે. અનુનાદ (resonance) સમયે ઇન્ડક્ટર પરનો વોલ્ટેજ ડ્રોપ કેટલો હશે ($V$ માં)?