एक अनबायस्ड (unbiased) $p-n$ जंक्शन डायोड में:
- Aविभव हर जगह समान होता है।
- Bजंक्शन पर $p$-टाइप साइड से $n$-टाइप साइड की ओर एक विद्युत क्षेत्र होता है।
- Cजंक्शन पर $n$-टाइप साइड से $p$-टाइप साइड की ओर एक विद्युत क्षेत्र होता है।
- D$p$-टाइप साइड,$n$-टाइप साइड की तुलना में उच्च विभव पर होती है।
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दिए गए चित्र के लिए,जब आदर्श डायोड '$D$' फॉरवर्ड बायस में होता है,तो बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच का प्रतिरोध '$R_1$' है और जब यह रिवर्स बायस में होता है,तो प्रतिरोध '$R_2$' है। अनुपात $\frac{R_1}{R_2}$ ज्ञात कीजिए।
नीचे दिए गए डायोड में से कौन सा डायोड रिवर्स बायस में है?
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View Solution$P-N$ जंक्शन का विभव प्राचीर (potential barrier) $0.5 \ V$ है। अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $5.0 \times 10^{-7} \ m$ है,तो विद्युत क्षेत्र की गणना कीजिए।
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View Solutionएक आदर्श डायोड मानते हुए,चित्र में दिखाए गए परिपथ में $1 \Omega$ के प्रतिरोध से प्रवाहित होने वाली धारा ज्ञात कीजिए।
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View Solutionएक अर्धचालक $p-n$ डायोड में, $p$-पक्ष और $n$-पक्ष पर डोपिंग सांद्रता क्रमशः $10^{15} \text{ atoms/cm}^3$ और $10^{18} \text{ atoms/cm}^3$ है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?
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