બાહ્ય (extrinsic) $P$ અને $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર પદાર્થોમાં,અશુદ્ધિના પરમાણુઓ અને શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર પરમાણુઓનો ગુણોત્તર આશરે કેટલો હોય છે?

વિધાન: ઓરડાના તાપમાને $p-$ પ્રકારના સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા શુદ્ધ સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટર કરતા ઓછી હોય છે.
કારણ: આ દ્રવ્યમાન ક્રિયાના નિયમ (law of mass action) ને કારણે છે.

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટર માટે,જ્યારે ડોપિંગનું સ્તર વધારવામાં આવે છે ત્યારે:

$1\,cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ અને $0.5\,mm$ જાડાઈ ધરાવતી $Ge$ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની વિરુદ્ધ બાજુઓ વચ્ચે $2\,V$ નો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. જો $Ge$ માં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $2 \times 10^{19}/m^{3}$ હોય અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.36\,m^{2}/(V\cdot s)$ અને $0.14\,m^{2}/(V\cdot s)$ હોય,તો પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ કેટલો હશે ($,A$ માં)?

સિલિકોન સ્ફટિકમાં ફોરબિડન ગેપની પહોળાઈ $1.1 \, eV$ છે. જ્યારે સ્ફટિકને $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફર્મી લેવલનું કન્ડક્શન બેન્ડથી અંતર કેટલું હોય છે?