$1.8\, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનની પ્રક્રિયામાં,સૌથી વધુ ઊર્જા ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $0.5\, eV$ છે. તો તેને અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ......... $V$ છે.

એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના કિસ્સામાં, કટ-ઓફ આવૃત્તિ $\nu$ છે. જો $\nu$ આવૃત્તિવાળા વિકિરણને ધાતુની પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ સંભવિત વેગ કેટલો હશે? ($m$ = ઇલેક્ટ્રોનનું દળ, $h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક)

$5.5 \ eV$ ઊર્જાવાળો ફોટોન એવી સપાટી પર આપાત થાય છે જે $4.0 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. આ ઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............ $V$ છે.

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $\lambda_{\text{ph}}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ શૂન્યાવકાશ નળીમાં રહેલી કેથોડ પ્લેટ પર પડે છે. કેથોડ સપાટીનું વર્ક ફંક્શન $\phi$ છે અને એનોડ એ વાહક પદાર્થની વાયર મેશ છે જે કેથોડથી $d$ અંતરે રાખવામાં આવી છે. ઇલેક્ટ્રોડ્સ વચ્ચે $V$ જેટલો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત જાળવવામાં આવે છે. જો એનોડમાંથી પસાર થતા ઇલેક્ટ્રોનની લઘુત્તમ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_e$ હોય,તો નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે?

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \mathring A$ થી બદલીને $3000 \mathring A$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ..... $V$ હશે.

જ્યારે આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ ઘટાડવામાં આવે છે, ત્યારે: