$p-n$ જંકશન ડાયોડના કિસ્સામાં,ડેપ્લેશન વિસ્તારની પહોળાઈ:

ડેપ્લેશન લેયર (depletion layer) શેનું બનેલું હોય છે?

$p-n$ જંકશનમાં ઉદ્ભવતા વિદ્યુતક્ષેત્રની દિશા દર્શાવો.

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં બેન્ડ ગેપ $0.6 eV$ છે. આ સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડી બનાવવા માટે સક્ષમ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક રેડિયેશનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($nm$ માં)? [$hc = 1242 eV-nm$ નો ઉપયોગ કરો]

એક $p-n$ જંકશન ડાયોડને $8 \, V$ ના વોલ્ટેજ સાથે રિવર્સ બાયસ કરવામાં આવે છે. જો ડાયોડનો અવરોધ $4 \times 10^7 \, \Omega$ હોય, તો રિવર્સ સેચ્યુરેશન કરંટ કેટલો હશે ($ \, \mu A$ માં)?

એક સેમિકન્ડક્ટર $p-n$ ડાયોડમાં, $p$-બાજુ અને $n$-બાજુ પર ડોપિંગ સાંદ્રતા અનુક્રમે $10^{15} \text{ atoms/cm}^3$ અને $10^{18} \text{ atoms/cm}^3$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?