$P.E.E.$ ના પ્રયોગમાં,ઇલેક્ટ્રોનનો $KE_{max}$ એ $K_0$ છે. જો આવૃત્તિને $n_1$ ના ગુણાંકમાં વધારવામાં આવે,તો $KE_{max}$ એ $n_2K_0$ થાય છે. વર્ક ફંક્શન શોધો.

$331 \text{ nm}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના સ્ત્રોતનો ઉપયોગ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરવા માટે થાય છે, જેનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.2 \text{ V}$ છે. પ્રયોગમાં વપરાયેલ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $\alpha \times 10^{-19} \text{ J}$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે. ($h = 6.62 \times 10^{-34} \text{ J s}$, $e = 1.6 \times 10^{-19} \text{ C}$ અને $c = 3 \times 10^8 \text{ m/s}$) ($.68$ માં)

સોડિયમ અને કોપરના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $2.3 \ eV$ અને $4.5 \ eV$ છે. તો તેમની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કોની નજીક છે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટી પર આપાત થાય છે અને $E$ ઉર્જા સાથે ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો $E$ ને મૂળ મૂલ્ય કરતા બમણું કરવામાં આવે,તો તરંગલંબાઈ બદલાઈને $\lambda_1$ થાય છે. નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

જ્યારે ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $E$ છે. ગતિઊર્જા બમણી કરવા માટે,આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ કેટલી હોવી જોઈએ?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $200 \, nm$ થી બદલીને $400 \, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે કેટલો હશે ($ \, V$ માં)? [$hc = 1240 \, eV \cdot nm$ નો ઉપયોગ કરો, જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ પ્રકાશનો વેગ છે].