નીચેનામાંથી કઈ આકૃતિમાં $p-n$ જંકશન ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં છે?

$p-n$ જંકશનના નિર્માણ દરમિયાન કઈ બે મહત્વની પ્રક્રિયાઓ થાય છે?

આપેલ પરિપથમાં $I_1$ અને $I_2$ શોધો.

એક અવરોધ સાથે સમાંતરમાં જોડાયેલ ડાયોડ માટે,સૌથી સંભવિત પ્રવાહ $I$-વોલ્ટેજ $V$ લાક્ષણિકતા કઈ છે?

વિધાન $I :$ જ્યારે $Si$ ના નમૂનામાં બોરોન ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે તે $P$-પ્રકારનું બને છે અને જ્યારે આર્સેનિક ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે તે $N$-પ્રકારનું સેમિકન્ડક્ટર બને છે,જેથી $P$-પ્રકારમાં હોલ્સની અધિકતા અને $N$-પ્રકારમાં ઇલેક્ટ્રોનની અધિકતા હોય છે.
વિધાન $II$ : જ્યારે આવા $P$-પ્રકાર અને $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર્સને જોડીને જંકશન બનાવવામાં આવે છે,ત્યારે આપમેળે વિદ્યુતપ્રવાહ વહે છે જેને બાહ્ય રીતે જોડાયેલા એમીટર વડે શોધી શકાય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.

$PN$-જંકશન ડાયોડમાં $27^\circ C$ તાપમાને રિવર્સ સેચ્યુરેશન કરંટ ${10^{-5}} \ A$ છે. $0.2 \ V$ ના વોલ્ટેજ માટે ફોરવર્ડ કરંટની ગણતરી કરો. આપેલ છે: $[\exp(7.62) = 2038.6, \ k_B = 1.4 \times {10^{-23}} \ J/K, \ e = 1.6 \times {10^{-19}} \ C]$.