આપેલ પરિપથમાં $I_1$ અને $I_2$ શોધો.

કોઈપણ પરિપથ સાથે ન જોડાયેલ $PN-$ જંકશન ડાયોડમાં:

$621 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશના ફોટોનની ઉર્જા અર્ધવાહક પદાર્થના બેન્ડ ગેપ સાથે મેળ ખાય છે. તો અર્ધવાહકમાંથી ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી બનાવવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ ઉર્જા કેટલી છે ($eV$ માં)?
[લો $hc = 1242 \ eV-nm$,જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ છે]

ડાયોડનો પ્રવાહ-વોલ્ટેજ સંબંધ $I = (e^{1000V/T} - 1) \; mA$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં લાગુ પાડવામાં આવેલ વોલ્ટેજ $V$ વોલ્ટમાં છે અને તાપમાન $T$ કેલ્વિનમાં છે. જો કોઈ વિદ્યાર્થી $300 \; K$ તાપમાને $5 \; mA$ પ્રવાહ માપતી વખતે વોલ્ટેજ માપવામાં $\pm 0.01 \; V$ ની ભૂલ કરે,તો પ્રવાહના મૂલ્યમાં $mA$ માં કેટલી ભૂલ થશે?

$Ge$ ની ફોરબિડન એનર્જી ગેપ $0.75 \ eV$ છે. $Ge$ અર્ધવાહકમાં ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડકું ઉત્પન્ન કરવા માટે આપાત ફોટોન રેડિએશનની મહત્તમ તરંગલંબાઈ ........... $\mathring{A}$ હોવી જોઈએ.

$8V$ નો સોર્સ વોલ્ટેજ આકૃતિમાં દર્શાવેલ ડાયોડને $100 \Omega$ ના કરંટ-લિમિટિંગ રઝિસ્ટર દ્વારા ચલાવે છે. તો ડાયોડના $V-I$ લાક્ષણિકતાઓ પર લોડ લાઇનના ઢાળનું મૂલ્ય કેટલું હશે?