$ 110 \times 10^{-20} \ J $ જેટલું વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર પ્રકાશ આપાત થાય છે. જો ઉત્પન્ન થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા શૂન્ય હોય, તો આપાત પ્રકાશની કોણીય આવૃત્તિ . . . . . . $ rad/s $ છે. $( h = 6.63 \times 10^{-34} \ J \cdot s )$

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,મહત્તમ ગતિઊર્જા $(KE_{\max})$ વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ દોરવામાં આવે છે. જો $A$ અને $B$ અનુક્રમે $X$ અને $Y$ અક્ષ પરના અંતઃખંડો હોય,તો પ્લાન્કનો અચળાંક શેના દ્વારા આપવામાં આવે છે?

જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જ્યારે $300 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે $600 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બે ઉત્સર્જકોના કાર્ય વિધેય (work function) નો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$4.25 \, eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન જ્યારે ધાતુ $A$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_A \, eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _A}$ છે. $4.70 \, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_B = (T_A - 1.50) \, eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ હોય,તો:

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે એક ધાતુના કટ-ઓફ પોટેન્શિયલ $\lambda_1$,$\lambda_2$ અને $\lambda_3$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ માટે $V_1$,$V_2$ અને $V_3$ વોલ્ટ મળે છે. જો $V_1$,$V_2$ અને $V_3$ સમાંતર શ્રેણી (Arithmetic Progression) માં હોય,તો $\lambda_1$,$\lambda_2$ અને $\lambda_3$ શેમાં હશે?