$1824 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા,$5.3 \ eV$ મહત્તમ ઉર્જા ધરાવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન થાય છે. જ્યારે $1216 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઉર્જા $8.7 \ eV$ હોય છે. ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) .............. $eV$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ ને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ ની વિરુદ્ધ આલેખવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) શેના દ્વારા આપવામાં આવે છે? ($e$ એ ઈલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ છે)

$6.4 \times 10^{-5} \; W/cm^{2}$ તીવ્રતા ધરાવતા વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણના કિરણપુંજની તરંગલંબાઈ $\lambda = 310 \; nm$ છે. તે $1 \; cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ધાતુની સપાટી (વર્ક ફંક્શન $\varphi = 2 \; eV$) પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. જો દર $10^{3}$ ફોટોન દીઠ એક ફોટોન ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતું હોય, તો $1 \; s$ માં ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા $10^{x}$ છે. તો $x$ નું મૂલ્ય શોધો. $(hc = 1240 \; eV \cdot nm, 1 \; eV = 1.6 \times 10^{-19} \; J)$

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ પર,જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિમાં $30 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા $0.4 \ eV$ થી વધીને $0.9 \ eV$ થાય છે. સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે ($eV$ માં)?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એમિટર પ્લેટ $E$ પર એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે. જ્યારે સ્વીચ $S_1$ બંધ હોય અને સ્વીચ $S_2$ ખુલ્લી હોય,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ $C$ પર અથડાય છે. જો સ્વીચ $S_1$ ખુલ્લી હોય અને સ્વીચ $S_2$ બંધ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન $20 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ પર અથડાય છે. એમિટર પ્લેટની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ