$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16}\, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?

  • A
    $p-$ પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^9\, m^{-3}$ છે
  • B
    $n-$ પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ છે
  • C
    $p-$ પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{10}\, m^{-3}$ છે
  • D
    $n-$ પ્રકારનું,જેમાં ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{23}\, m^{-3}$ છે

Explore More

Similar Questions

જર્મેનિયમ સ્ફટિકને $P-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવા માટે ઉમેરવામાં આવતી અશુદ્ધિની સંયોજકતા કેટલી હોય છે?

સિલિકોનમાં ડોનર (દાતા) ની લાક્ષણિક આયનીકરણ ઉર્જા .....$eV$ છે.

જ્યારે બેટરીને ધાતુના તાર વડે $P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર સાથે જોડવામાં આવે છે,ત્યારે સેમિકન્ડક્ટરમાં (મુખ્યત્વે),ધાતુના તારની અંદર અને બેટરીની અંદરનો પ્રવાહ અનુક્રમે કયા ચાર્જ કેરિયર્સને કારણે હોય છે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \, meV$ પર છે। હોલ ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે? (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \cdot s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)

Difficult
View Solution

$P$ પ્રકારનો અર્ધવાહક તૈયાર કરવા માટે $Si$ ના નમૂનામાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. આ અર્ધવાહકમાં $Si$ ના $5 \times 10^7$ પરમાણુદીઠ ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ ઉમેરેલ છે. $Si$ ના નમૂનાની પરમાણુઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ પરમાણુ/m}^3$ છે,તો સિલિકોનના $1 \text{ cm}^3$ ના સમઘનમાં એક્સેપ્ટરના કેટલા પરમાણુ હશે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo