જ્યારે કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે તેની કેપેસિટન્સ,વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અને સ્થિતિઊર્જામાં અનુક્રમે શું ફેરફાર થાય છે?

વિધાન: જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરે છે ત્યારે ચાર્જ થયેલા આઇસોલેટેડ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું ઇલેક્ટ્રોસ્ટેટિક બળ ઘટે છે.
કારણ: જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરે છે ત્યારે ચાર્જ થયેલા આઇસોલેટેડ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડ વધે છે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું જ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી અને $d/2$ જાડાઈની ધાતુની પ્લેટને કેપેસિટરની પ્લેટોને અડકે નહીં તે રીતે તેમની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. તો પરિણામી કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

એક ચાર્જ્ડ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $5 \ cm$ છે અને પ્લેટોની અંદરનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $200 \ V/cm$ છે. $2 \ cm$ પહોળાઈનો એક અનચાર્જ્ડ મેટલ બાર કેપેસિટરમાં સંપૂર્ણપણે ડૂબાડવામાં આવે છે. મેટલ બારની લંબાઈ કેપેસિટરની પ્લેટ જેટલી જ છે. બારને ડૂબાડ્યા પછી કેપેસિટરનો વોલ્ટેજ......$V$ થશે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_0$ છે. જો સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\varepsilon_r$ અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતરના ચોથા ભાગ જેટલી જાડાઈ ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ $C$ થાય છે. તો ગુણોત્તર $\frac{C}{C_0}$ શોધો.

બે સમાન કેપેસિટર $A$ અને $B$ ને $E$ જેટલા $E$.$M$.$F$. ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવ્યા છે. કેપેસિટર $B$ માં $K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબ છે. $Q_A$ અને $Q_B$ એ $A$ અને $B$ માં સંગ્રહિત વિદ્યુતભારો છે. જ્યારે ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દૂર કરવામાં આવે છે,ત્યારે અનુરૂપ વિદ્યુતભારો $Q_A^{\prime}$ અને $Q_B^{\prime}$ થાય છે. તો: