ફોટોસેલનો એનોડ વોલ્ટેજ અચળ રાખવામાં આવે છે. કેથોડ પર પડતા પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $\lambda$ ને ક્રમશઃ બદલવામાં આવે છે. ફોટોસેલનો પ્લેટ પ્રવાહ $I$ નીચે મુજબ બદલાય છે:

$3.8 eV$ નું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થઈને ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે. આ ઈલેક્ટ્રોનને $2 \times 10^{-4} T$ ના ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં દાખલ કરવામાં આવે છે. જો આ ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા અનુસરવામાં આવતા સૌથી મોટા વર્તુળાકાર પથની ત્રિજ્યા $30 mm$ હોય,તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય કેટલું હશે ($eV$ માં)? (ઈલેક્ટ્રોનનું દળ $m_{e} = 9 \times 10^{-31} kg$)

$2475 \, Å$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ બેરિયમ પર આપાત થાય છે। ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન $\frac{1}{\sqrt{17}} \times 10^{-5} \, T$ ફ્લક્સ ઘનતા ધરાવતા ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $100 \, cm$ ત્રિજ્યાનું વર્તુળ બનાવે છે। બેરિયમનું કાર્ય વિધેય (Work function) .............. $eV$ છે। (આપેલ છે: $\frac{e}{m} = 1.7 \times 10^{11} \, C/kg$)

થોમસન સ્પેક્ટ્રોગ્રાફ પ્રયોગમાં,ચાર ધન આયનો $P, Q, R$ અને $S$ આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $Y-X$ વક્ર પર સ્થિત છે.

એક મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે. મહત્તમ ગતિ ઊર્જા સાથે બિંદુ $A$ થી પ્લેટને લંબ રૂપે ઉત્સર્જિત થયેલ એક ઇલેક્ટ્રોન,ઇલેક્ટ્રોનના પ્રારંભિક વેગને લંબ એવા અચળ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં પ્રવેશ કરે છે. ઇલેક્ટ્રોન એક વળાંકમાંથી પસાર થાય છે અને બિંદુ $B$ પર પ્લેટને પાછું અથડાય છે. $A$ અને $B$ વચ્ચેનું અંતર કેટલું છે? (આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોન પરના ચાર્જનું મૂલ્ય $e$ છે અને દળ $m$ છે,$h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ પ્રકાશનો વેગ છે. ચુંબકીય ક્ષેત્ર ઇલેક્ટ્રોનના સમગ્ર માર્ગ પર અસ્તિત્વ ધરાવે છે તેમ માનો.)

$E$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોનની તરંગલંબાઈ અને તેટલી જ ઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર શોધો ($m=$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ,$c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક).