रिवर्स बायस्ड $p-n$ जंक्शन डायोड में ब्रेकडाउन होने की संभावना किसके कारण अधिक होती है?
- Aयदि डोपिंग सांद्रता कम है तो अल्पसंख्यक आवेश वाहकों का बड़ा वेग
- Bयदि डोपिंग सांद्रता अधिक है तो अल्पसंख्यक आवेश वाहकों का बड़ा वेग
- Cयदि डोपिंग सांद्रता कम है तो डिप्लेशन क्षेत्र में मजबूत विद्युत क्षेत्र
- Dइनमें से कोई नहीं
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$Ge$ का फॉरबिडन एनर्जी गैप $0.75 \ eV$ है। $Ge$ अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन-होल युग्म उत्पन्न करने के लिए आपतित फोटॉन विकिरण की अधिकतम तरंगदैर्ध्य ........... $\mathring{A}$ होनी चाहिए।
Difficult
View Solutionनीचे दो कथन दिए गए हैं:
$A$. जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड पर फॉरवर्ड बायस वोल्टेज एक निश्चित थ्रेशोल्ड वोल्टेज से ऊपर बढ़ता है, तो डायोड करंट काफी बढ़ जाता है।
$B$. इस करंट को रिवर्स सैचुरेशन करंट कहा जाता है।
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें:
$A$. जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड पर फॉरवर्ड बायस वोल्टेज एक निश्चित थ्रेशोल्ड वोल्टेज से ऊपर बढ़ता है, तो डायोड करंट काफी बढ़ जाता है।
$B$. इस करंट को रिवर्स सैचुरेशन करंट कहा जाता है।
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MediumNEET 2026
View Solutionनीचे दिखाए गए परिपथ में धारा क्या है?
Easy
View Solution$PN$ जंक्शन डायोड में रिवर्स बायसिंग
नेटवर्क में धारा $i$ का मान क्या है ($A$ में)?
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