जब फॉरवर्ड बायस वोल्टेज को $0.6 \, V$ से बदला जाता है, तो जंक्शन डायोड से गुजरने वाली धारा में $12 \, mA$ का परिवर्तन होता है। डायनेमिक प्रतिरोध है

$PN$ जंक्शन डायोड में रिवर्स बायसिंग

शुद्ध जर्मेनियम क्रिस्टल के एक वेफर के दो भाग $X$ और $Y$ हैं। सिरा $X$ आर्सेनिक के साथ डोपिंग करके और $Y$ इंडियम के साथ डोपिंग करके प्राप्त किया जाता है। इसे चित्र में दिखाए अनुसार एक बैटरी से जोड़ा गया है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और दिए गए उत्तरों में से सही विकल्प की पहचान करें:
$A:$ $P-N$ जंक्शन डायोड में फॉरवर्ड बायस में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ जाती है।
$B:$ एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में,फर्मी ऊर्जा स्तर वर्जित अंतराल (forbidden gap) के ठीक बीच में होता है।

$p-n$ जंक्शन के $n$-क्षेत्र में एक इलेक्ट्रॉन $5 \times 10^5 \ m/s$ की गति से जंक्शन की ओर बढ़ता है। यदि जंक्शन का अवरोध विभव (barrier potential) $0.45 \ V$ है, तो वह गति ज्ञात कीजिए जिससे इलेक्ट्रॉन अवरोध को पार करने के बाद $p$-क्षेत्र में प्रवेश करता है (इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ और इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान $m = 9 \times 10^{-31} \ kg$ है)।

कौन सा डायोड फॉरवर्ड बायस में है?