शुद्ध जर्मेनियम क्रिस्टल के एक वेफर के दो भाग $X$ और $Y$ हैं। सिरा $X$ आर्सेनिक के साथ डोपिंग करके और $Y$ इंडियम के साथ डोपिंग करके प्राप्त किया जाता है। इसे चित्र में दिखाए अनुसार एक बैटरी से जोड़ा गया है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

  • A
    $X$ $p$-प्रकार है, $Y$ $n$-प्रकार है और जंक्शन अग्र अभिनत (forward biased) है
  • B
    $X$ $n$-प्रकार है, $Y$ $p$-प्रकार है और जंक्शन अग्र अभिनत (forward biased) है
  • C
    $X$ $p$-प्रकार है, $Y$ $n$-प्रकार है और जंक्शन पश्च अभिनत (reverse biased) है
  • D
    $X$ $n$-प्रकार है, $Y$ $p$-प्रकार है और जंक्शन पश्च अभिनत (reverse biased) है

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एक अनबायस्ड (unbiased) $p-n$ जंक्शन में:

चित्र में दिखाए गए परिपथ में,तीन डायोड जुड़े हुए हैं,जिनमें से प्रत्येक का फॉरवर्ड प्रतिरोध $40 \Omega$ और अनंत बैकवर्ड प्रतिरोध है। $100 \Omega$ प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा है: ($mA$ में)

परिपथ में प्रवाहित होने वाली धारा कितनी होगी?

निम्नलिखित तालिका एक दिए गए डायोड के लिए प्राप्त $V$ और $I$ के मानों का सेट प्रदान करती है। मान लीजिए कि विशेषताएँ लगभग रैखिक हैं। इस सीमा में,दिए गए डायोड का फॉरवर्ड और रिवर्स बायस प्रतिरोध क्रमशः क्या है?
स्थिति $V$ $I$
फॉरवर्ड बायसिंग $2.0 \, V$ $60 \, mA$
फॉरवर्ड बायसिंग $2.4 \, V$ $80 \, mA$
रिवर्स बायसिंग $0 \, V$ $0 \, \mu A$
रिवर्स बायसिंग $-2 \, V$ $-0.25 \, \mu A$

Difficult
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चित्र में एक $p-n$ जंक्शन डायोड का $I-V$ अभिलक्षण दर्शाया गया है। जब $1 \text{ V}$ का फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो $p-n$ जंक्शन का अनुमानित गतिक प्रतिरोध (dynamic resistance) ज्ञात कीजिए। ($\Omega$ में)

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