निम्नलिखित तालिका एक दिए गए डायोड के लिए प्राप्त $V$ और $I$ के मानों का सेट प्रदान करती है। मान लीजिए कि विशेषताएँ लगभग रैखिक हैं। इस सीमा में,दिए गए डायोड का फॉरवर्ड और रिवर्स बायस प्रतिरोध क्रमशः क्या है?
स्थिति $V$ $I$
फॉरवर्ड बायसिंग $2.0 \, V$ $60 \, mA$
फॉरवर्ड बायसिंग $2.4 \, V$ $80 \, mA$
रिवर्स बायसिंग $0 \, V$ $0 \, \mu A$
रिवर्स बायसिंग $-2 \, V$ $-0.25 \, \mu A$

  • A
    $10 \, \Omega, 8 \times 10^6 \, \Omega$
  • B
    $20 \, \Omega, 4 \times 10^5 \, \Omega$
  • C
    $20 \, \Omega, 8 \times 10^6 \, \Omega$
  • D
    $10 \, \Omega, 10 \, \Omega$

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यदि चित्र में प्रत्येक डायोड का फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध $25\,\Omega$ है और रिवर्स बायस में अनंत प्रतिरोध है,तो धाराओं $I_1, I_2, I_3$ और $I_4$ के मान क्या होंगे?

Difficult
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एक अनबायस्ड $n-p$ जंक्शन में,इलेक्ट्रॉन $n-$ क्षेत्र से $p-$ क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं क्योंकि

$X$ और $Y$ बिंदुओं के बीच एक $5 \, V$ की बैटरी जुड़ी है। मान लीजिए कि $D_{1}$ और $D_{2}$ सामान्य सिलिकॉन डायोड हैं। यदि बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $X$ बिंदु से जुड़ा हो,तो बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा ($A$ में) ज्ञात कीजिए।

यह मानते हुए कि जंक्शन डायोड आदर्श है, चित्र में दिखाए गए विन्यास में धारा ज्ञात कीजिए। ($\text{mA}$ में)

मान लीजिए कि एक $P-N$ जंक्शन में अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $10^{-6} \ m$ है और अवक्षय अवरोध (depletion barrier) का मान $0.1 \ V$ है,तो विद्युत क्षेत्र ....... $V \ m^{-1}$ है।

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