$ 400 \,V $ ના સ્થિતિમાનથી પ્રવેગિત થયેલા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($\,nm$ માં)?

$80 eV$ ઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ આશરે કેટલી હશે ($Å$ માં)? ($1 eV = 1.6 \times 10^{-19} J$,ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} kg$,પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.6 \times 10^{-34} J-s$).

જો મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા બમણી કરવામાં આવે,તો તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈમાં કેટલા ગણો ફેરફાર થશે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતા ફોટોન એક ફોટોસેલના કેથોડ પર આપાત થાય છે. કેથોડની સપાટી પરથી ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી હશે? (વર્ક ફંક્શન અવગણ્ય છે).
($c =$ પ્રકાશનો વેગ,$h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$m =$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ)

$100 \ V$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત થયેલા ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલી તરંગલંબાઇ આશરે .............. $ \mathring A $ છે.

ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $1 \ nm$ થી ઘટાડીને $0.5 \ nm$ કરવા માટે તેને આપવી પડતી વધારાની ઉર્જા કેટલી છે?