एक सिलिकॉन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई $1 \, \mu m$ है और नी विभव (knee potential) $0.6 \, V$ है, तो अवक्षय परत में विद्युत क्षेत्र होगा:

दो $PN$-जंक्शन को चित्र में दिखाए अनुसार तीन अलग-अलग तरीकों से श्रेणीक्रम में जोड़ा जा सकता है। यदि जंक्शनों पर विभवांतर समान है,तो सही संयोजन कौन से होंगे?

अवक्षय परत (depletion layer) का विद्युत प्रतिरोध अधिक होता है क्योंकि

मान लीजिए कि चित्र में दिखाए गए प्रत्येक डायोड का फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध $50 \Omega$ और रिवर्स बायस प्रतिरोध अनंत है। $150 \Omega$ प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा है

कॉमन एमिटर ट्रांजिस्टर कॉन्फ़िगरेशन में इनपुट विशेषताओं के मापन में इनपुट प्रतिरोध के व्युत्क्रम $(1/r_i)$ के परिवर्तन को दर्शाने वाला यथार्थवादी ग्राफ कौन सा है?

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और दिए गए उत्तरों में से सही विकल्प की पहचान करें:
$A:$ $P-N$ जंक्शन डायोड में फॉरवर्ड बायस में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ जाती है।
$B:$ एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में,फर्मी ऊर्जा स्तर वर्जित अंतराल (forbidden gap) के ठीक बीच में होता है।