सिलिकॉन के तीन अर्धचालक नमूनों के लिए ऊर्जा ब | vedclass

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Question

(D) नमूना $X$ में,वर्जित ऊर्जा अंतराल (forbidden energy gap) में कोई अशुद्धि ऊर्जा स्तर मौजूद नहीं है,इसलिए यह एक आंतरिक (अशुद्धि रहित) अर्धचालक है।नम

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नमूना $X$ अशुद्धि रहित है जबकि नमूना $Y$ और $Z$ में क्रमशः पांचवें और तीसरे समूह की अशुद्धि मिलाई गई है।

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(D) नमूना $X$ में,वर्जित ऊर्जा अंतराल (forbidden energy gap) में कोई अशुद्धि ऊर्जा स्तर मौजूद नहीं है,इसलिए यह एक आंतरिक (अशुद्धि रहित) अर्धचालक है।नमूना $Y$ में,अशुद्धि ऊर्जा स्तर चालन बैंड (conduction band) के ठीक नीचे स्थित है,जो पांचवें समूह (पंचसंयोजी) की अशुद्धि के साथ डोपिंग द्वारा बनाए गए दाता स्तर (donor level) की विशेषता है।नमूना $Z$ में,अशुद्धि ऊर्जा स्तर संयोजी बैंड (valence band) के ठीक ऊपर स्थित है,जो तीसरे समूह (त्रिसंयोजी) की अशुद्धि के साथ डोपिंग द्वारा बनाए गए ग्राही स्तर (acceptor level) की विशेषता है।इसलिए,नमूना $X$ अशुद्धि रहित है,जबकि नमूना $Y$ और $Z$ में क्रमशः पांचवें और तीसरे समूह की अशुद्धि मिलाई गई है।

सिलिकॉन के तीन अर्धचालक नमूनों के लिए ऊर्जा बैंड आरेख दिखाए गए हैं। तब हम यह दावा कर सकते हैं कि

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यदि $u=\log \left(x^3+y^3+z^3-3 x y z\right)$ है, तो $(x+y+z)(u_x+u_y+u_z)$ का मान ज्ञात कीजिए।

यदि $\left[\begin{array}{rrr}1 & 2 & x \\ 4 & -1 & 7 \\ 2 & 4 & -6\end{array}\right]$ एक अव्युत्क्रमणीय आव्यूह (singular matrix) है,तो $x$ का मान ज्ञात कीजिए।

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