गैर-ओमीय प्रतिरोध का उदाहरण है

यदि एक अर्धचालक डायोड में अग्र वोल्टेज (forward voltage) को दोगुना कर दिया जाए,तो अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई

$P-N$ जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?

यदि डायोड में फॉरवर्ड वोल्टेज बढ़ाया जाता है,तो डिप्लेशन परत की मोटाई .......

निम्नलिखित में से किस चित्र में $p-n$ जंक्शन डायोड रिवर्स बायस्ड है?

तीन समान p-n जंक्शन डायोड $D_1$, $D_2$ और $D_3$ को चित्र में दिखाए अनुसार एक बैटरी से जोड़ा गया है। यदि $D_1$, $D_2$ और $D_3$ के अवक्षय परतों (depletion regions) की चौड़ाई क्रमशः $W_1$, $W_2$ और $W_3$ है, तो सही विकल्प है: