P-N जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion | vedclass

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Question

(B) जब एक $P-N$ जंक्शन बनता है,तो $N$-क्षेत्र में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता और $P$-क्षेत्र में होल्स की सांद्रता बहुत अधिक होती है।इस सांद्रता प्रवणता

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आवेश वाहकों का विसरण (diffusion)

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(B) जब एक $P-N$ जंक्शन बनता है,तो $N$-क्षेत्र में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता और $P$-क्षेत्र में होल्स की सांद्रता बहुत अधिक होती है।इस सांद्रता प्रवणता के कारण,इलेक्ट्रॉन $N$-पक्ष से $P$-पक्ष की ओर और होल $P$-पक्ष से $N$-पक्ष की ओर विसरित (diffuse) होते हैं।जैसे ही ये आवेश वाहक जंक्शन को पार करते हैं,वे इंटरफ़ेस के पास पुनर्संयोजित (recombine) हो जाते हैं,जिससे वहां अचल आयनित अशुद्धि परमाणु पीछे छूट जाते हैं।यह क्षेत्र,जिसमें गतिशील आवेश वाहक नहीं होते,अवक्षय परत (depletion layer) कहलाता है।

स्थिति	$V$	$I$
फॉरवर्ड बायसिंग	$2.0 \, V$	$60 \, mA$
फॉरवर्ड बायसिंग	$2.4 \, V$	$80 \, mA$
रिवर्स बायसिंग	$0 \, V$	$0 \, \mu A$
रिवर्स बायसिंग	$-2 \, V$	$-0.25 \, \mu A$

$P-N$ जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?

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