चित्र में एक $P-N$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषता दिखाई गई है। जब $1\;V$ का फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो $P-N$ जंक्शन का अनुमानित गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) .......$\Omega$ है।

जब एक $P-N$ जंक्शन पर कोई बायस लागू नहीं किया जाता है,तो धारा:

$p-n$ जंक्शन डायोड के मामले में,अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई:

चित्र में दिखाए गए परिपथ के लिए $V_{AB} = $ ....... $V$.

चित्र में दिखाए अनुसार एक $2 \ V$ की सेल को बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच जोड़ा गया है। मान लीजिए कि प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध फॉरवर्ड बायस में शून्य और रिवर्स बायस में अनंत है। सेल द्वारा आपूर्ति की गई धारा है ($A$ में)

एक $p-n$ जंक्शन में, अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $5 \times 10^5 \ V/m$ का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) होने के लिए एक चालन इलेक्ट्रॉन की न्यूनतम गतिज ऊर्जा $3.2 \times 10^{-20} \ J$ पाई जाती है। अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है,