चित्र में दिखाए गए परिपथ के लिए $V_{AB} = $ ....... $V$.

थर्मिस्टर आमतौर पर...... से बना होता है।

सिलिकॉन डायोड का $V-I$ अभिलक्षण चित्र में दर्शाया गया है। $(a) \; I_{D} = 15 \, mA$ और $(b) \; V_{D} = -10 \, V$ पर डायोड का प्रतिरोध ज्ञात कीजिए।

निम्नलिखित परिपथ में जंक्शन डायोड को अपने $I-V$ अभिलक्षणिक वक्र के नी पॉइंट $(0.7 \, V)$ से ऊपर रहने के लिए न्यूनतम $1 \, mA$ धारा की आवश्यकता होती है। नी पॉइंट से ऊपर डायोड के सिरों पर वोल्टेज धारा से स्वतंत्र है। यदि $V_B = 5 \, V$ है,तो $R$ का अधिकतम मान क्या होगा ताकि वोल्टेज नी पॉइंट से ऊपर रहे?

नीचे दो कथन दिए गए हैं:
$A$. जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड पर फॉरवर्ड बायस वोल्टेज एक निश्चित थ्रेशोल्ड वोल्टेज से ऊपर बढ़ता है, तो डायोड करंट काफी बढ़ जाता है।
$B$. इस करंट को रिवर्स सैचुरेशन करंट कहा जाता है।
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें:

एक $P-N$ जंक्शन में,अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $10^{-6} \ m$ है और विभव प्राचीर (potential barrier) $0.1 \ V$ है। विद्युत क्षेत्र ($V/m$ में) क्या होगा?