एक $P-N$ जंक्शन में,अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $10^{-6} \ m$ है और विभव प्राचीर (potential barrier) $0.1 \ V$ है। विद्युत क्षेत्र ($V/m$ में) क्या होगा?

$P-N$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव किस पर निर्भर नहीं करता है?

एक डायोड को चित्र में दिखाए अनुसार एक संधारित्र (capacitor) के साथ श्रेणीक्रम में $220 \, V \, (rms) \, ac$ से जोड़ा गया है। संधारित्र के सिरों पर वोल्टेज है

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $2 \times 10^{-6} \,m$ है और विभव प्राचीर (barrier potential) $0.3 \,V$ है। जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र की तीव्रता है

$PN-$जंक्शन के फॉरवर्ड बायसिंग के मामले में,निम्नलिखित में से कौन सा चित्र वाहकों के प्रवाह की दिशा को सही ढंग से दर्शाता है?

$Ge$ और $Si$ डायोड क्रमशः $0.3\,V$ और $0.7\,V$ पर चालन शुरू करते हैं। निम्नलिखित आकृति में,यदि $Ge$ डायोड का कनेक्शन उलट दिया जाए,तो $V_0$ का मान कितने से बदल जाएगा: ...... $V$ (मान लें कि $Ge$ डायोड का ब्रेकडाउन वोल्टेज बहुत अधिक है)।