$P-N$ જંકશન વિસ્તારમાં ડેપ્લેશન લેયર (depletion layer) શેના કારણે રચાય છે?

એક $p-n$ જંકશન ડાયોડને $5.5\, V$ ના $emf$ ધરાવતી બેટરી અને $5.1\, k\Omega$ ના બાહ્ય અવરોધ સાથે જોડવામાં આવે છે. ડાયોડમાં બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.4\, V$ છે. પરિપથમાં વહેતો પ્રવાહ શોધો.

આપેલ પરિપથમાં,જો ડાયોડ માટે ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ ડ્રોપ $0.5 \,V$ હોય,તો પ્રવાહ.....$ mA$ થશે.

$p-n$ જંકશનમાં, ડેપ્લેશન રિજનમાં $5 \times 10^5 \ V/m$ નું વિદ્યુતક્ષેત્ર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. $n$-સાઇડથી $p$-સાઇડ તરફ પ્રસરણ કરવા માટે કન્ડક્શન ઇલેક્ટ્રોનની લઘુત્તમ ગતિઊર્જા $3.2 \times 10^{-20} \ J$ માલૂમ પડે છે. તો ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈ કેટલી હશે?

$621 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશના ફોટોનની ઉર્જા અર્ધવાહક પદાર્થના બેન્ડ ગેપ સાથે મેળ ખાય છે. તો અર્ધવાહકમાંથી ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી બનાવવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ ઉર્જા કેટલી છે ($eV$ માં)?
[લો $hc = 1242 \ eV-nm$,જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ છે]

આપેલ પરિપથમાં બે આદર્શ ડાયોડ એક બેટરી સાથે જોડાયેલા છે. બેટરી દ્વારા પૂરો પાડવામાં આવતો પ્રવાહ કેટલો છે ($A$ માં)?