$XeOF_4$ નો આકાર (ભૂમિતિ) શું છે?

વિધાન : અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વચ્ચેનું અપાકર્ષણ,અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ અને બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વચ્ચેના અપાકર્ષણ કરતા વધારે હોય છે.
કારણ : બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની સરખામણીમાં અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ દ્વારા રોકાયેલી જગ્યા વધારે હોય છે.

ત્રિકોણીય દ્વિપિરામિડલ ઇલેક્ટ્રોન ભૂમિતિમાંથી કઈ આણ્વિય ભૂમિતિ મળવાની શક્યતા સૌથી ઓછી છે?

નીચેની માહિતી ધ્યાનમાં લો $(X = F$ અથવા $Cl)$:

અણુ	$P-X$ (અક્ષીય) બંધ લંબાઈ / $P-X$ (વિષુવવૃત્તીય) બંધ લંબાઈ
$PF_5$	$a / b$
$PF_4CH_3$	$c / d$
$PF_3(CH_3)_2$	$e / f$
$PCl_5$	$g / h$

આપેલી માહિતી મુજબ,બંધ લંબાઈનો ખોટો ક્રમ પસંદ કરો.

$H_2O$ અણુનો ભૌમિતિક આકાર શું છે?

ઇલેક્ટ્રોન ભૂમિતિ અને તેમાંથી ઉતરી આવેલા સંભવિત આણ્વિક આકાર વચ્ચેની ખોટી જોડી ઓળખો:

ઇલેક્ટ્રોન ભૂમિતિ	સંભવિત આણ્વિક આકાર