આલેખ ત્રણ પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુઓ $X_1, X_2$ અને $X_3$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $\nu$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_o$ માં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે. આપાત વિકિરણની સમાન તરંગલંબાઈ માટે, કઈ ધાતુ વધુ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરશે?

$5.01 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી નિકલની સપાટી પર $200 \, nm$ ની અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $V$ હોવો જોઈએ.

જ્યારે $400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $1.68 \ eV$ છે. ધાતુનું વર્કફંકશન .......... $eV$ છે.

જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આ ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે:

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$ : પ્રકાશની આવૃત્તિ વધવાથી ફોટોનની સંખ્યા વધે છે.
કારણ $R$ : ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ સાથે વધે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

પ્લાન્કનો અચળાંક નક્કી કરવાના ઐતિહાસિક પ્રયોગમાં, ધાતુની સપાટી પર અલગ-અલગ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવ્યો. ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ઊર્જા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ લગાવીને માપવામાં આવી. આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $(\lambda)$ અને તેને અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ માટેનો ડેટા નીચે મુજબ છે:

$\lambda (\mu m)$	$V_0$ (Volt)
$0.3$	$2.0$
$0.4$	$1.0$
$0.5$	$0.4$

જો $c = 3 \times 10^8 \ m \ s^{-1}$ અને $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ હોય, તો આવા પ્રયોગ પરથી મળતો પ્લાન્કનો અચળાંક ($J \ s$ એકમમાં) કેટલો હશે?