જ્યારે આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $500 \,nm$ થી બદલીને બીજી તરંગલંબાઈ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જામાં $0.52 eV$ નો વધારો થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($\,nm$ માં)?

હાઇડ્રોજનની $H_\beta$ અને $H_{\infty}$ રેખાઓની આવૃત્તિ જેટલી આવૃત્તિ ધરાવતા ફોટોન એક પ્રકાશસંવેદી પ્લેટ પર આપાત થાય છે,જેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ હાઇડ્રોજનની $H_\alpha$ રેખાની આવૃત્તિ જેટલી છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક ધાતુની સપાટીને પહેલા $300 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે અને ત્યારબાદ $500 \ nm$ તરંગલંબાઈના બીજા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. એવું અવલોકન કરવામાં આવે છે કે બંને કિસ્સાઓમાં ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર $3$ છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)?

$400 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ $2.5 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર પડે ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું મહત્તમ રેખીય વેગમાન શોધો.

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરનો અભ્યાસ શેને સમજવા માટે ઉપયોગી છે?

$7.21 \times 10^{14} \; Hz$ ની આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. સપાટી પરથી $6.0 \times 10^{5} \; m/s$ ની મહત્તમ ઝડપ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ઇલેક્ટ્રોનના ફોટો-ઉત્સર્જન માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?